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芯奇士电子

  • image of 三极管(BJT)>DTC114EE
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DTC114EE
三极管(BJT)
SHIKUES(时科)
-
-
0.028克(g)
5050
-
: 0.073515
: 5050

50

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image of 三极管(BJT)>DTC114EE
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DTC114EE
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三极管(BJT)
SHIKUES(时科)
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0.028克(g)
5050
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TYPEDESCRIPTION
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)50V
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)30@5mA,5V
特征频率(fT)250MHz
集电极截止电流(Icbo)500nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@10mA,0.5mA
工作温度-55℃~+150℃
captcha

0755-83225727

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