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芯奇士电子
| ： | INN650D260A |
|---|---|
| ： | 结型场效应管(JFET) |
| ： | Innoscience(英诺赛科) |
| ： | - |
| ： | - |
| ： | 0.37克(g) |
| ： | 5001 |
| ： | - |
1
6.46
6.46
10
5.59
55.9
30
5.03
150.9
100
4.29
429
500
4.03
2015
1000
3.92
3920
| TYPE | DESCRIPTION |
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
| 沟道类型 | 1个N沟道 |
| 技术路线 | - |
| Vds-漏源击穿电压 | 650V |
| Id-漏极电流(25℃) | 22A |
| Pd-功耗 | 75W |
| Vgs(th)-阈值电压 | 1.6V |
| RDS(on)-导通电阻(10V) | - |
| RDS(on)-导通电阻(8V) | - |
| RDS(on)-导通电阻(6V) | 165mΩ |
| RDS(on)-导通电阻(4.5V) | - |
| RDS(on)-导通电阻(2.5V) | - |
| Qg-栅极电荷 | 2nC |
| Ciss-输入电容 | 73pF |
| Crss-反向传输电容 | 0.2pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
