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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>03N06L
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03N06L
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
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0.046克(g)
5010
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: 0.266538
: 5010

10

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image of 场效应管(MOSFET)>03N06L
image of 场效应管(MOSFET)>03N06L
03N06L
03N06L
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
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0.046克(g)
5010
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3A
功率(Pd)1.7W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)72mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)14.6nC@30V
输入电容(Ciss@Vds)510pF@30V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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