: | 06N06L |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | GOFORD(谷峰) |
: | - |
: | - |
: | 0.034克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
0.366166
1.83083
50
0.306823
15.34115
150
0.272152
40.8228
500
0.248649
124.3245
3000
0.196058
588.174
6000
0.192657
1155.942
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 5.5A |
功率(Pd) | 960mW |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 36mΩ |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.4nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 765pF@30V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |