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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>06N06L
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06N06L
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
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0.034克(g)
5005
-
: 0.366166
: 5005

5

0.366166

1.83083

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image of 场效应管(MOSFET)>06N06L
image of 场效应管(MOSFET)>06N06L
06N06L
06N06L
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
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0.034克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5.5A
功率(Pd)960mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)36mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)2.4nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)765pF@30V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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