: | 15N10 |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | UMW(友台半导体) |
: | - |
: | - |
: | 0.438克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
0.6414
3.207
50
0.5092
25.46
150
0.4453
66.795
500
0.3816
190.8
2500
0.3686
921.5
5000
0.3648
1824
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 15A |
功率(Pd) | 55W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@10V,10A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19.2nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 632pF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | - |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |