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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>2N7002KG
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2N7002KG
场效应管(MOSFET)
银河微电子
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0.032克(g)
5020
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image of 场效应管(MOSFET)>2N7002KG
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2N7002KG
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场效应管(MOSFET)
银河微电子
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0.032克(g)
5020
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)63V
连续漏极电流(Id)300mA
功率(Pd)350mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@5V,50mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.4V@250uA
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0755-83225727

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