: | 2N7002KG |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | 银河微电子 |
: | - |
: | - |
: | 0.032克(g) |
: | 5020 |
: | - |
20
0.09325
1.865
200
0.074
14.8
600
0.05775
34.65
3000
0.058
174
9000
0.04955
445.95
21000
0.045
945
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 63V |
连续漏极电流(Id) | 300mA |
功率(Pd) | 350mW |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5Ω@5V,50mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.4V@250uA |