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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>4435
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4435
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
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0.217克(g)
5005
-
: 0.6163
: 5005

5

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3.0815

50

0.5414

27.07

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500

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场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
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0.217克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
功率(Pd)2.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)16mΩ@10V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)40nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.27nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)300pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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