: | 4435 |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | GOFORD(谷峰) |
: | - |
: | - |
: | 0.217克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
0.6163
3.0815
50
0.5414
27.07
150
0.5064
75.96
500
0.4703
235.15
2500
0.383
957.5
4000
0.378
1512
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个P沟道 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 10A |
功率(Pd) | 2.5W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@10V,10A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 40nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.27nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 300pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |