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芯奇士电子

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4606
场效应管(MOSFET)
TF(拓锋)
-
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0.138克(g)
5005
-
: 0.3834
: 5005

5

0.3834

1.917

50

0.3146

15.73

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0.2752

41.28

500

0.24815

124.075

2500

0.210105

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4000

0.195285

781.14

image of 场效应管(MOSFET)>4606
image of 场效应管(MOSFET)>4606
4606
4606
场效应管(MOSFET)
TF(拓锋)
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0.138克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)-
功率(Pd)2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)19mΩ@10V,6.9A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)7.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)398pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)61pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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