: | 4606 |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | TF(拓锋) |
: | - |
: | - |
: | 0.138克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
0.3834
1.917
50
0.3146
15.73
150
0.2752
41.28
500
0.24815
124.075
2500
0.210105
525.2625
4000
0.195285
781.14
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | - |
功率(Pd) | 2W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 19mΩ@10V,6.9A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.5nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 398pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 61pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |