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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>50N06
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50N06
场效应管(MOSFET)
TF(拓锋)
-
-
0.316克(g)
5010
-
: 0.364198
: 5010

10

0.364198

3.64198

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0.209076

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image of 场效应管(MOSFET)>50N06
image of 场效应管(MOSFET)>50N06
50N06
50N06
场效应管(MOSFET)
TF(拓锋)
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0.316克(g)
5010
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
功率(Pd)300W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@10V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)126nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)4.6nF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)350pF@30V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
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0755-83225727

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