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芯奇士电子

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AO3400
场效应管(MOSFET)
LGE(鲁光)
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0.031克(g)
5010
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image of 场效应管(MOSFET)>AO3400
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AO3400
AO3400
场效应管(MOSFET)
LGE(鲁光)
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0.031克(g)
5010
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
功率(Pd)1.4W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@10V,2.9A
阈值电压(Vgs(th)@Id)900mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)9.5nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)623pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)77pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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