: | AP2012S |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | ALLPOWER(铨力) |
: | - |
: | - |
: | 0.179克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
0.276692
1.38346
50
0.224663
11.23315
150
0.19865
29.7975
500
0.181639
90.8195
2500
0.15869
396.725
4000
0.147886
591.544
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 18V |
连续漏极电流(Id) | 12A |
功率(Pd) | 2W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9mΩ@4.5V,6A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 800mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 11nC@4.5V |
输入电容(Ciss@Vds) | 780pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 80pF@10V |
工作温度 | - |