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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>AP2012S
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AP2012S
场效应管(MOSFET)
ALLPOWER(铨力)
-
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0.179克(g)
5005
-
: 0.276692
: 5005

5

0.276692

1.38346

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11.23315

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591.544

image of 场效应管(MOSFET)>AP2012S
image of 场效应管(MOSFET)>AP2012S
AP2012S
AP2012S
场效应管(MOSFET)
ALLPOWER(铨力)
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0.179克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)18V
连续漏极电流(Id)12A
功率(Pd)2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9mΩ@4.5V,6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)800mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)11nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)780pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)80pF@10V
工作温度-
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0755-83225727

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