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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>AP20P30Q
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AP20P30Q
场效应管(MOSFET)
ALLPOWER(铨力)
-
-
0.106克(g)
5005
-
: 0.67966
: 5005

5

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3.3983

50

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27.447

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image of 场效应管(MOSFET)>AP20P30Q
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AP20P30Q
AP20P30Q
场效应管(MOSFET)
ALLPOWER(铨力)
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0.106克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)20A
功率(Pd)40W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10.5mΩ@10V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id)-
栅极电荷(Qg@Vgs)23.2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.75nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)180pF@15V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
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0755-83225727

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