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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>AP30H50Q
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AP30H50Q
场效应管(MOSFET)
ALLPOWER(铨力)
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0.105克(g)
5005
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: 0.39425
: 5005

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image of 场效应管(MOSFET)>AP30H50Q
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AP30H50Q
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场效应管(MOSFET)
ALLPOWER(铨力)
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0.105克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)40A
功率(Pd)30W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6.5mΩ@10V,15A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)13.3nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.116nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)152pF@15V
工作温度-
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0755-83225727

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