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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>AP4435C
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AP4435C
场效应管(MOSFET)
ALLPOWER(铨力)
-
-
0.179克(g)
5005
-
: 0.437458
: 5005

5

0.437458

2.18729

50

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18.072

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image of 场效应管(MOSFET)>AP4435C
image of 场效应管(MOSFET)>AP4435C
AP4435C
AP4435C
场效应管(MOSFET)
ALLPOWER(铨力)
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0.179克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
功率(Pd)3.7W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)16mΩ@10V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)30nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.55nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)278pF@15V
工作温度-
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0755-83225727

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