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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>BCD80N06
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BCD80N06
场效应管(MOSFET)
baocheng(宝乘)
-
-
0.39克(g)
5001
-
: 0.69855
: 5001

1

0.69855

0.69855

10

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43.335

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363.25

image of 场效应管(MOSFET)>BCD80N06
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BCD80N06
BCD80N06
场效应管(MOSFET)
baocheng(宝乘)
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0.39克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.3mΩ@10V
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0755-83225727

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