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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>CI7N170SM
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CI7N170SM
场效应管(MOSFET)
Tokmas(托克马斯)
-
-
6.07克(g)
5001
-
: 14.74
: 5001

1

14.74

14.74

10

12.86

128.6

30

11.74

352.2

90

10.61

954.9

510

10.09

5145.9

1020

9.85

10047

image of 场效应管(MOSFET)>CI7N170SM
image of 场效应管(MOSFET)>CI7N170SM
CI7N170SM
CI7N170SM
场效应管(MOSFET)
Tokmas(托克马斯)
-
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6.07克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
沟道类型1个N沟道
Vds-漏源击穿电压1700V
Id-漏极电流(25℃)7A
Pd-功耗62W
captcha

0755-83225727

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