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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>CRST037N10N
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CRST037N10N
场效应管(MOSFET)
CRMICRO(华润微)
-
-
2.7克(g)
5001
-
: 5.12
: 5001

1

5.12

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image of 场效应管(MOSFET)>CRST037N10N
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CRST037N10N
CRST037N10N
场效应管(MOSFET)
CRMICRO(华润微)
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2.7克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)120A
功率(Pd)227W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)-
输入电容(Ciss@Vds)9.538nF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)36pF@50V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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