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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>CRST060N10N
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CRST060N10N
场效应管(MOSFET)
CRMICRO(华润微)
-
-
1.35克(g)
5001
-
: 2.93
: 5001

1

2.93

2.93

10

2.43

24.3

50

2.16

108

100

1.9

190

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1.76

880

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1.68

1680

image of 场效应管(MOSFET)>CRST060N10N
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CRST060N10N
CRST060N10N
场效应管(MOSFET)
CRMICRO(华润微)
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1.35克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)120A
功率(Pd)227W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
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0755-83225727

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