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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>CS12N06AE-G
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CS12N06AE-G
场效应管(MOSFET)
华润华晶
-
-
0.207克(g)
5001
-
: 1.2521
: 5001

1

1.2521

1.2521

10

1.0161

10.161

30

0.9121

27.363

100

0.7824

78.24

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1000

0.6944

694.4

image of 场效应管(MOSFET)>CS12N06AE-G
image of 场效应管(MOSFET)>CS12N06AE-G
CS12N06AE-G
CS12N06AE-G
场效应管(MOSFET)
华润华晶
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0.207克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)12A
功率(Pd)3.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)13.5mΩ@10V,12A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.9V@250uA
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0755-83225727

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