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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>CS25N50ANR
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CS25N50ANR
场效应管(MOSFET)
CRMICRO(华润微)
-
-
5.27克(g)
5001
-
: 4.0925
: 5001

1

4.0925

4.0925

10

3.804

38.04

25

3.646

91.15

100

3.4695

346.95

500

2.6415

1320.75

1000

2.604

2604

image of 场效应管(MOSFET)>CS25N50ANR
image of 场效应管(MOSFET)>CS25N50ANR
CS25N50ANR
CS25N50ANR
场效应管(MOSFET)
CRMICRO(华润微)
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5.27克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)25A
功率(Pd)300W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)210mΩ@10V,12.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)64nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)3.487nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)10pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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