:中文
  • 中文
  • 英文
  • 日语
  • Русский
  • français
  • اللغة العربية

芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>CS8N60A8H
  • image of 场效应管(MOSFET)>CS8N60A8H
CS8N60A8H
场效应管(MOSFET)
华润华晶
-
-
2.08克(g)
5001
-
: 2.52
: 5001

1

2.52

2.52

10

2.09

20.9

50

1.88

94

100

1.66

166

image of 场效应管(MOSFET)>CS8N60A8H
image of 场效应管(MOSFET)>CS8N60A8H
CS8N60A8H
CS8N60A8H
场效应管(MOSFET)
华润华晶
-
-
2.08克(g)
5001
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)8A
功率(Pd)110W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)800mΩ@10V,4A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)29nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.253nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)15pF@25V
工作温度-
captcha

0755-83225727

点击这里给我发消息
0