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芯奇士电子

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CS9N90ANHD
场效应管(MOSFET)
CRMICRO(华润微)
-
-
5.27克(g)
5001
-
: 4.28
: 5001

1

4.28

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10

3.63

36.3

25

3.05

76.25

100

2.65

265

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2.47

1235

1000

2.39

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image of 场效应管(MOSFET)>CS9N90ANHD
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CS9N90ANHD
CS9N90ANHD
场效应管(MOSFET)
CRMICRO(华润微)
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5.27克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)9A
功率(Pd)150W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)950mΩ@10V,4.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)65nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)3.85nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)13pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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