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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>DN2302S
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DN2302S
场效应管(MOSFET)
Doeshare(德芯)
-
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0.032克(g)
5050
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: 0.054018
: 5050

50

0.054018

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image of 场效应管(MOSFET)>DN2302S
image of 场效应管(MOSFET)>DN2302S
DN2302S
DN2302S
场效应管(MOSFET)
Doeshare(德芯)
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0.032克(g)
5050
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.2A
功率(Pd)1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)48mΩ@4.5V,3A
阈值电压(Vgs(th)@Id)600mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4nC@5V
输入电容(Ciss@Vds)160pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)25pF@10V
工作温度-50℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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