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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>DN3019KT
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DN3019KT
场效应管(MOSFET)
Doeshare(德芯)
-
-
0.025克(g)
5050
-
: 0.078019
: 5050

50

0.078019

3.90095

500

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image of 场效应管(MOSFET)>DN3019KT
image of 场效应管(MOSFET)>DN3019KT
DN3019KT
DN3019KT
场效应管(MOSFET)
Doeshare(德芯)
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0.025克(g)
5050
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100mA
功率(Pd)150mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)13Ω@2.5V,1mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)-
输入电容(Ciss@Vds)13pF@5V
反向传输电容(Crss@Vds)4pF@5V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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