: | G01N20LE |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | GOFORD(谷峰) |
: | - |
: | - |
: | 0.04克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
0.687715
3.438575
50
0.575955
28.79775
150
0.52233
78.3495
500
0.450465
225.2325
3000
0.34495
1034.85
6000
0.33044
1982.64
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 1.7A |
功率(Pd) | 1.5W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 560mΩ |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 580pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | - |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |