:中文
  • 中文
  • 英文
  • 日语
  • Русский
  • français
  • اللغة العربية

芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>G01N20LE
  • image of 场效应管(MOSFET)>G01N20LE
G01N20LE
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
-
0.04克(g)
5005
-
: 0.687715
: 5005

5

0.687715

3.438575

50

0.575955

28.79775

150

0.52233

78.3495

500

0.450465

225.2325

3000

0.34495

1034.85

6000

0.33044

1982.64

image of 场效应管(MOSFET)>G01N20LE
image of 场效应管(MOSFET)>G01N20LE
G01N20LE
G01N20LE
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
-
0.04克(g)
5005
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)1.7A
功率(Pd)1.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)560mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)580pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)-
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
captcha

0755-83225727

点击这里给我发消息
0