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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>G08N06S
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G08N06S
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
-
0.417克(g)
5005
-
: 0.576
: 5005

5

0.576

2.88

50

0.5047

25.235

150

0.4712

70.68

500

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203.075

2500

0.38093

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4000

0.36725

1469

image of 场效应管(MOSFET)>G08N06S
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G08N06S
G08N06S
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
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0.417克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5A
功率(Pd)2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)979pF@30V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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