: | G08N06S |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | GOFORD(谷峰) |
: | - |
: | - |
: | 0.417克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
0.576
2.88
50
0.5047
25.235
150
0.4712
70.68
500
0.40615
203.075
2500
0.38093
952.325
4000
0.36725
1469
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 5A |
功率(Pd) | 2W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 26mΩ |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 22nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 979pF@30V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |