: | G110N06K |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | GOFORD(谷峰) |
: | - |
: | - |
: | 0.385克(g) |
: | 5001 |
: | - |
1
1.41
1.41
10
1.23
12.3
30
1.16
34.8
100
1.06
106
500
0.92
460
1000
0.9
900
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 110A |
功率(Pd) | 160W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.5mΩ |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 113nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 5.538nF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |