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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>G110N06K
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G110N06K
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
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0.385克(g)
5001
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: 1.41
: 5001

1

1.41

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image of 场效应管(MOSFET)>G110N06K
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G110N06K
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场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
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0.385克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)110A
功率(Pd)160W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.5mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)113nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)5.538nF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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