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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>G12P03D3
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G12P03D3
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
-
0.148克(g)
5005
-
: 0.365779
: 5005

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0.365779

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image of 场效应管(MOSFET)>G12P03D3
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G12P03D3
G12P03D3
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
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0.148克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
功率(Pd)3W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)17mΩ@10V,6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)24.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.253nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)158pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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