: | G12P03D3 |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | GOFORD(谷峰) |
: | - |
: | - |
: | 0.148克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
0.365779
1.828895
50
0.302048
15.1024
150
0.265181
39.77715
500
0.240031
120.0155
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个P沟道 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 12A |
功率(Pd) | 3W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 17mΩ@10V,6A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 24.5nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.253nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 158pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |