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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>G16P03D3
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G16P03D3
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
-
0.155克(g)
5005
-
: 0.7612
: 5005

5

0.7612

3.806

50

0.6713

33.565

150

0.64

96

500

0.5958

297.9

2500

0.4393

1098.25

5000

0.4322

2161

image of 场效应管(MOSFET)>G16P03D3
image of 场效应管(MOSFET)>G16P03D3
G16P03D3
G16P03D3
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
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0.155克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)16A
功率(Pd)-
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.5mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V
栅极电荷(Qg@Vgs)-
输入电容(Ciss@Vds)-
反向传输电容(Crss@Vds)-
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0755-83225727

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