: | G16P03S |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | GOFORD(谷峰) |
: | - |
: | - |
: | 0.126克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
0.5849
2.9245
50
0.514
25.7
150
0.4807
72.105
500
0.4468
223.4
2500
0.4043
1010.75
4000
0.3899
1559.6
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个P沟道 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 16A |
功率(Pd) | 3W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9.9mΩ |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 35nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.8nF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |