:中文
  • 中文
  • 英文
  • 日语
  • Русский
  • français
  • اللغة العربية

芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>G16P03S
  • image of 场效应管(MOSFET)>G16P03S
G16P03S
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
-
0.126克(g)
5005
-
: 0.5849
: 5005

5

0.5849

2.9245

50

0.514

25.7

150

0.4807

72.105

500

0.4468

223.4

2500

0.4043

1010.75

4000

0.3899

1559.6

image of 场效应管(MOSFET)>G16P03S
image of 场效应管(MOSFET)>G16P03S
G16P03S
G16P03S
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
-
0.126克(g)
5005
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)16A
功率(Pd)3W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9.9mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)35nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.8nF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
captcha

0755-83225727

点击这里给我发消息
0