: | G26P04D5 |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | GOFORD(谷峰) |
: | - |
: | - |
: | 0.2克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
1.033
5.165
50
0.8961
44.805
150
0.846
126.9
500
0.776
388
2500
0.689
1722.5
5000
0.6623
3311.5
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个P沟道 |
漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 26A |
功率(Pd) | 50W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 45nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.479nF@20V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |