:中文
  • 中文
  • 英文
  • 日语
  • Русский
  • français
  • اللغة العربية

芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>G26P04D5
  • image of 场效应管(MOSFET)>G26P04D5
G26P04D5
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
-
0.2克(g)
5005
-
: 1.033
: 5005

5

1.033

5.165

50

0.8961

44.805

150

0.846

126.9

500

0.776

388

2500

0.689

1722.5

5000

0.6623

3311.5

image of 场效应管(MOSFET)>G26P04D5
image of 场效应管(MOSFET)>G26P04D5
G26P04D5
G26P04D5
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
-
0.2克(g)
5005
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)26A
功率(Pd)50W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)45nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.479nF@20V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
captcha

0755-83225727

点击这里给我发消息
0