: | G30N03D3 |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | GOFORD(谷峰) |
: | - |
: | - |
: | 0.12克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
0.5431
2.7155
50
0.4747
23.735
150
0.4568
68.52
500
0.4196
209.8
2500
0.3386
846.5
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 30A |
功率(Pd) | 24W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5mΩ |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 825pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 40pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |