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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>G30N03D3
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G30N03D3
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
-
0.12克(g)
5005
-
: 0.5431
: 5005

5

0.5431

2.7155

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0.4747

23.735

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209.8

2500

0.3386

846.5

image of 场效应管(MOSFET)>G30N03D3
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G30N03D3
G30N03D3
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
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0.12克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
功率(Pd)24W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)825pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)40pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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