:中文
  • 中文
  • 英文
  • 日语
  • Русский
  • français
  • اللغة العربية

芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>G65P06D5
  • image of 场效应管(MOSFET)>G65P06D5
G65P06D5
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
-
0.31克(g)
5001
-
: 3.16
: 5001

1

3.16

3.16

10

2.73

27.3

30

2.52

75.6

100

2.31

231

500

2.18

1090

1000

2.12

2120

image of 场效应管(MOSFET)>G65P06D5
image of 场效应管(MOSFET)>G65P06D5
G65P06D5
G65P06D5
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
-
0.31克(g)
5001
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)65A
功率(Pd)130W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)13.5mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)75nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)5.814nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)234pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
captcha

0755-83225727

点击这里给我发消息
0