: | G65P06D5 |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | GOFORD(谷峰) |
: | - |
: | - |
: | 0.31克(g) |
: | 5001 |
: | - |
1
3.16
3.16
10
2.73
27.3
30
2.52
75.6
100
2.31
231
500
2.18
1090
1000
2.12
2120
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个P沟道 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 65A |
功率(Pd) | 130W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 13.5mΩ |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 75nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 5.814nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 234pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |