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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>G7P03L
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G7P03L
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
-
0.078克(g)
5005
-
: 0.428641
: 5005

5

0.428641

2.143205

50

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150

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1284.51

image of 场效应管(MOSFET)>G7P03L
image of 场效应管(MOSFET)>G7P03L
G7P03L
G7P03L
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
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0.078克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7A
功率(Pd)1.9W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)19mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)29nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.5nF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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