: | GC2M0040120D |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | SUPSiC(国晶微半导体) |
: | - |
: | - |
: | 8.63克(g) |
: | 5001 |
: | - |
1
38.24
38.24
10
33.8
338
30
31.09
932.7
90
28.83
2594.7
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
连续漏极电流(Id) | 60A |
功率(Pd) | 330W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 115nC |