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芯奇士电子

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GC2M0040120D
场效应管(MOSFET)
SUPSiC(国晶微半导体)
-
-
8.63克(g)
5001
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: 38.24
: 5001

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GC2M0040120D
GC2M0040120D
场效应管(MOSFET)
SUPSiC(国晶微半导体)
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8.63克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)60A
功率(Pd)330W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ
栅极电荷(Qg@Vgs)115nC
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0755-83225727

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