: | GC3M0040120K |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | SUPSiC(国晶微半导体) |
: | - |
: | - |
: | 8.933333克(g) |
: | 5001 |
: | - |
1
38.26
38.26
10
33.69
336.9
30
30.9
927
90
28.56
2570.4
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
连续漏极电流(Id) | 66A |
功率(Pd) | 326W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 99nC |