: | GC3M0065090D |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | SUPSiC(国晶微半导体) |
: | - |
: | - |
: | 8.476667克(g) |
: | 5001 |
: | - |
1
30.12
30.12
10
26.63
266.3
30
24.49
734.7
90
22.7
2043
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 900V |
连续漏极电流(Id) | 36A |
功率(Pd) | 125W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC |