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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>GC3M0065090D
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GC3M0065090D
场效应管(MOSFET)
SUPSiC(国晶微半导体)
-
-
8.476667克(g)
5001
-
: 30.12
: 5001

1

30.12

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10

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734.7

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22.7

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GC3M0065090D
GC3M0065090D
场效应管(MOSFET)
SUPSiC(国晶微半导体)
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8.476667克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)36A
功率(Pd)125W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)65mΩ
栅极电荷(Qg@Vgs)30nC
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0755-83225727

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