: | GC3M0065100K |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | SUPSiC(国晶微半导体) |
: | - |
: | - |
: | 8.726667克(g) |
: | 5001 |
: | - |
1
24.28
24.28
10
21.18
211.8
30
19.29
578.7
90
17.71
1593.9
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 1kV |
连续漏极电流(Id) | 35A |
功率(Pd) | 113.5W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 35nC |