: | GD15N10 |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | Gem-micro(晶群) |
: | - |
: | - |
: | 0.687克(g) |
: | 5000 |
: | - |
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 15A |
功率(Pd) | 2.5W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 78mΩ@10V,15A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 26nC@5V |
输入电容(Ciss@Vds) | 880pF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 28pF@50V |
工作温度 | - |