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芯奇士电子
| ： | GD20N10 |
|---|---|
| ： | 场效应管(MOSFET) |
| ： | Gem-micro(晶群) |
| ： | - |
| ： | - |
| ： | 0.48克(g) |
| ： | 5005 |
| ： | - |
5
1.1519
5.7595
50
0.9269
46.345
150
0.8319
124.785
500
0.6938
346.9
2500
0.6388
1597
5000
0.6138
3069
| TYPE | DESCRIPTION |
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 功率(Pd) | 2.5W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 68mΩ@10V,20A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 28nC@5V |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 940pF@50V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 38pF@50V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
