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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>GD2504-G
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GD2504-G
场效应管(MOSFET)
Gem-micro(晶群)
-
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0.508克(g)
5000
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image of 场效应管(MOSFET)>GD2504-G
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GD2504-G
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场效应管(MOSFET)
Gem-micro(晶群)
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0.508克(g)
5000
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)18A
功率(Pd)6W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@10V,12A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)16nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)760pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)55pF@10V
工作温度-
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0755-83225727

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