: | GM8812E |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | Gem-micro(晶群) |
: | - |
: | - |
: | 0.159克(g) |
: | 5000 |
: | - |
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 2个N沟道(共漏) |
漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 7A |
功率(Pd) | 1.5W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@4.5V,7A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 700mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 14nC@4.5V |
输入电容(Ciss@Vds) | 860pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 95pF@10V |
工作温度 | - |