: | GN2301 |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | Gem-micro(晶群) |
: | - |
: | - |
: | 0.044克(g) |
: | 5000 |
: | - |
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个P沟道 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 2.8A |
功率(Pd) | 900mW |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 70mΩ@4.5V,2.8A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 14.23nC@4.5V |
输入电容(Ciss@Vds) | 891pF@6V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 94pF@6V |
工作温度 | - |