:中文
  • 中文
  • 英文
  • 日语
  • Русский
  • français
  • اللغة العربية

芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>GN3401
  • image of 场效应管(MOSFET)>GN3401
GN3401
场效应管(MOSFET)
Gem-micro(晶群)
-
-
0.092克(g)
5000
-
image of 场效应管(MOSFET)>GN3401
image of 场效应管(MOSFET)>GN3401
GN3401
GN3401
场效应管(MOSFET)
Gem-micro(晶群)
-
-
0.092克(g)
5000
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.2A
功率(Pd)1.25W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)53mΩ@10V,4.2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)27.8nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.325nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)140pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
captcha

0755-83225727

点击这里给我发消息
0