: | GN3407 |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | Gem-micro(晶群) |
: | - |
: | - |
: | 0.092克(g) |
: | 5010 |
: | - |
10
0.16273
1.6273
100
0.14673
14.673
300
0.13373
40.119
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | P沟道 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 4.3A |
功率(Pd) | 1.4W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@10V,4.3A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.4nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 668pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 92pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |