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芯奇士电子

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GN3407
场效应管(MOSFET)
Gem-micro(晶群)
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0.092克(g)
5010
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: 0.16273
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image of 场效应管(MOSFET)>GN3407
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GN3407
GN3407
场效应管(MOSFET)
Gem-micro(晶群)
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0.092克(g)
5010
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.3A
功率(Pd)1.4W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)55mΩ@10V,4.3A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6.4nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)668pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)92pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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