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芯奇士电子

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GR2313
场效应管(MOSFET)
Gem-micro(晶群)
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0.042克(g)
5005
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image of 场效应管(MOSFET)>GR2313
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GR2313
GR2313
场效应管(MOSFET)
Gem-micro(晶群)
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0.042克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)8A
功率(Pd)2.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@4.5V,5.7A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)2.1nF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)300pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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