: | GR2313 |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | Gem-micro(晶群) |
: | - |
: | - |
: | 0.042克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
0.428912
2.14456
50
0.350912
17.5456
150
0.316912
47.5368
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 8A |
功率(Pd) | 2.5W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@4.5V,5.7A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 17nC@4.5V |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.1nF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 300pF@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |