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芯奇士电子

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GS4407
场效应管(MOSFET)
Gem-micro(晶群)
-
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0.194克(g)
5000
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image of 场效应管(MOSFET)>GS4407
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GS4407
GS4407
场效应管(MOSFET)
Gem-micro(晶群)
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0.194克(g)
5000
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
功率(Pd)2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)13mΩ@10V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)37.2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.076nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)302pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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