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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>GT100N04D3
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GT100N04D3
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
-
-
0.07克(g)
5005
-
: 0.621514
: 5005

5

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image of 场效应管(MOSFET)>GT100N04D3
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GT100N04D3
GT100N04D3
场效应管(MOSFET)
GOFORD(谷峰)
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0.07克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)13A
功率(Pd)23W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.7V
captcha

0755-83225727

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