: | GT100N04D3 |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | GOFORD(谷峰) |
: | - |
: | - |
: | 0.07克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
0.621514
3.10757
50
0.515514
25.7757
150
0.457514
68.6271
500
0.419014
209.507
2500
0.347614
869.035
5000
0.334214
1671.07
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 13A |
功率(Pd) | 23W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.7V |