: | GT110N06S |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | GOFORD(谷峰) |
: | - |
: | - |
: | 0.12克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
1.2879
6.4395
50
1.0417
52.085
150
0.9433
141.495
500
0.8081
404.05
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 14A |
功率(Pd) | 3W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.5mΩ |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 24nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.3nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 54pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |