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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>HD50N06D
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HD50N06D
场效应管(MOSFET)
HL(豪林)
-
-
0.439克(g)
5005
-
: 0.6611
: 5005

5

0.6611

3.3055

50

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1687

image of 场效应管(MOSFET)>HD50N06D
image of 场效应管(MOSFET)>HD50N06D
HD50N06D
HD50N06D
场效应管(MOSFET)
HL(豪林)
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0.439克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
功率(Pd)100W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@10V,15A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)40nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.6nF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)90pF@20V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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