: | HD50N06D |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | HL(豪林) |
: | - |
: | - |
: | 0.439克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
0.6611
3.3055
50
0.5219
26.095
150
0.4709
70.635
500
0.3997
199.85
2500
0.3544
886
5000
0.3374
1687
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 50A |
功率(Pd) | 100W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V,15A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 40nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.6nF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 90pF@20V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |